秒速赛车:记者博客”NAND技术如何划代

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  “真正的苦日子来了”——前不久,看到东芝发布的新闻,笔者不禁产生了这样的感想。该公司宣布,其业务支柱NAND闪存(以下,NAND)“即将开始使用19nm第二代工艺量产”。“第二代?”笔者马上就有了这样的疑问,但很快就反应了过来,“原来是那么回事”。

  对于NAND的Xnm工艺,X一般是指字线方向与位线方向中最小的加工尺寸。然而,最近出现了一种只缩小字线方向或是位线方向的新的技术划代方式,“19nm第二代工艺”就是如此。“19nm(第一代工艺)”的字线nm第二代工艺”的字线nm被公认是现在最尖端的曝光装置利用“自对准双重图形”光刻技术能够分辨的最小间距。“19nm第二代工艺”的意义,似乎就在于最大限度接近了装置的极限。

  其实,东芝2011年开始量产“19nm(第一代工艺)”NAND时,笔者就经常听业内人士说“韩国的存储器厂商并不承认东芝的19nm工艺是1Xnm工艺(10nm级别的第一代),而是将其视为2Ynm工艺(20nm级别的第二代)”。因为“字线与位线其中之一的半间距没有缩小到19nm”。也有看法认为,相对于东芝通过细化技术时代维持NAND微细化的方法,韩国企业“已陷入必须放弃微细化的境地,打算在近期向(纵向层叠内存单元的)三维NAND转移”。

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